Für den Arbeitsspeicher, auf den die CPU zugreift, werden heutzutage zwei Technologien verwendet: SRAM und DRAM. Beide sind flüchtig, das heißt, die gespeicherten Daten gehen verloren, wenn es zu einem Stromausfall kommt oder der Strom abgeschaltet wird. Daher wurde eine neue, nichtflüchtige Arbeitsspeicherklasse entwickelt (Persistent Memory oder Storage Class Memory, SCM), bei der Daten selbst bei einem Stromausfall nicht mehr verloren gehen.
Arbeitsspeicher nahe der CPU erfordert eine schnelle Zugriffszeit oder eine Latenzzeit, die ungefähr der CPU-Taktfrequenz entspricht, damit er als CPU-Cache verwendet werden kann. SSD- und HDD-Datenspeicher können aufgrund ihrer zu hohen Latenz nicht verwendet werden. Die Unterscheidung von Arbeitsspeicher und Datenspeicher ist bei diesem Thema sehr wichtig. (Arbeitsspeicher bezieht sich hier auf Speicher, der über Bits adressierbar ist und für Register und Caches verwendet wird, auf die die CPU zugreift. Datenspeicher ist nicht über Bits adressierbar und bezieht sich auf Geräte, die mithilfe bestimmter Systeme Daten verwalten und speichern.)
Einige Modelle von nichtflüchtigem Arbeitsspeicher mit niedriger Latenz können mit DRAM mithalten: MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) oder STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory). Weitere Technologien, deren Latenzzeit zwischen der von DRAM und SSD liegt, sind PCM (Phase Change Memory) und ReRAM (Resistive Random Access Memory). Western Digital erforscht seit vielen Jahren nichtflüchtigen Arbeitsspeicher – von der Untersuchung der grundlegenden Materialien (einschließlich Zellenbeschaffenheit und Design) bis hin zur Herstellung und Prüfung von Speicherzellen-Arrays. Bei der Einführung neuer Produkte in diesem Marktsegment werden die Ergebnisse all dieser Arbeiten berücksichtigt. Diese drei Bereiche decken die Hardware dieser Technologie ab. Weitere Forschungsprojekte befassen sich mit der Software und den diesbezüglichen Folgen der Nutzung von nichtflüchtigem Arbeitsspeicher.