Actualmente, se utilizan dos tecnologías de memoria diferentes como la memoria a la que accede la CPU: la memoria SRAM y la memoria DRAM. Ambas son volátiles, lo cual significa que lo datos almacenados se perderán cuando haya una falla en el suministro eléctrico o cuando se apague. Se está desarrollando una nueva clase de memoria (memoria persistente o de clase de almacenamiento, SCM) que es no volátil, es decir, que no desaparece cuando hay un problema con la energía
La memoria ubicada cerca de la CPU necesita un tiempo de acceso rápido, o una latencia parecida a la velocidad del reloj de la CPU, para que se pueda utilizar como memoria caché de la CPU. La latencia de los dispositivos de almacenamiento de datos tanto en discos duros como en discos de estado sólido es demasiado lenta para utilizarse. Poder diferenciar la memoria del almacenamiento es fundamental al momento de hablar sobre este tema (aquí, memoria se refiere a la memoria direccionable por bits que se utiliza para los registros y la memoria caché a la que accede la CPU, mientras que almacenamiento hace referencia a los dispositivos que utilizan sistemas para organizar y almacenar datos y no es direccionable por bits).
Algunos diseños de memoria no volátil con baja latencia pueden competir con la memoria DRAM: estos se llaman memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) o memoria magnetorresistiva por par de transferencia de espín de acceso aleatorio (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory, STT-MRAM). Otras tecnologías que se encuentran entre la memoria DRAM y los discos de estado sólido respecto de la latencia son la memoria de cambio de fase (Phase Change Memory, PCM) o la memoria de acceso aleatorio resistiva (Resistive Random Access Memory, ReRAM). Western Digital ha investigado la memoria no volátil durante varios años, desde la investigación de materiales básicos (incluidos el diseño y la física de la celda) hasta la fabricación de arreglos de celdas de memoria y su posterior prueba. Todas estas iniciativas se combinarán cuando un producto se lance a este mercado emergente. Estas tres áreas son el lado “hardware” de esta tecnología. Otra investigación tiene como objetivo las implicancias del “software” de la transición a la memoria no volátil.