Embedded Flash
iNAND UFS Embedded-Flash-Speicher für Mobilgeräte
von Western Digital
Embedded Flash
iNAND UFS Embedded-Flash-Speicher für Mobilgeräte
von Western Digital
Embedded Flash
iNAND UFS Embedded-Flash-Speicher für Mobilgeräte
von Western Digital
Embedded Flash
iNAND UFS Embedded-Flash-Speicher für Mobilgeräte
von Western Digital
{{variantCategoryOption.variantCategoryLabel}}
{{variantCategoryOption.variantCategoryLabel}}
Zuverlässiger, schneller Edge-Speicher – perfekt für 5G-Mobilgeräte
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz, geringen Strombedarf und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
Die Embedded-Flash-Speicher iNAND MC EU311, MC EU511 EFD und MC EU521 sind unsere modernsten Flash-Lösungen auf Grundlage der aktuellen 3D-NAND-Technologie. Der iNAND MC EU311 bietet eine herausragende Leistung bei Lese- und Schreibvorgängen mit SmartSLC und UFS 2.1. Der iNAND MC EU511 ist die richtige Wahl für 5G-Geräte dank blitzschneller sequenzieller Schreibvorgänge und der Leistung von iNAND SmartSLC Gen 6. Der iNAND MC EU521 basiert auf der neuesten Technologie mit UFS 3.1 Gear 4/2 Lane (Universal Flash Storage) EFD für hohe Mobilität. Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Zuverlässiger, schneller Edge-Speicher – perfekt für 5G-Mobilgeräte
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz, geringen Strombedarf und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
Die Embedded-Flash-Speicher iNAND MC EU311, MC EU511 EFD und MC EU521 sind unsere modernsten Flash-Lösungen auf Grundlage der aktuellen 3D-NAND-Technologie. Der iNAND MC EU311 bietet eine herausragende Leistung bei Lese- und Schreibvorgängen mit SmartSLC und UFS 2.1. Der iNAND MC EU511 ist die richtige Wahl für 5G-Geräte dank blitzschneller sequenzieller Schreibvorgänge und der Leistung von iNAND SmartSLC Gen 6. Der iNAND MC EU521 basiert auf der neuesten Technologie mit UFS 3.1 Gear 4/2 Lane (Universal Flash Storage) EFD für hohe Mobilität. Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Zuverlässiger, schneller Edge-Speicher – perfekt für 5G-Mobilgeräte
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz, geringen Strombedarf und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
Die Embedded-Flash-Speicher iNAND MC EU311, MC EU511 EFD und MC EU521 sind unsere modernsten Flash-Lösungen auf Grundlage der aktuellen 3D-NAND-Technologie. Der iNAND MC EU311 bietet eine herausragende Leistung bei Lese- und Schreibvorgängen mit SmartSLC und UFS 2.1. Der iNAND MC EU511 ist die richtige Wahl für 5G-Geräte dank blitzschneller sequenzieller Schreibvorgänge und der Leistung von iNAND SmartSLC Gen 6. Der iNAND MC EU521 basiert auf der neuesten Technologie mit UFS 3.1 Gear 4/2 Lane (Universal Flash Storage) EFD für hohe Mobilität. Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Zuverlässiger, schneller Edge-Speicher – perfekt für 5G-Mobilgeräte
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz, geringen Strombedarf und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
Die Embedded-Flash-Speicher iNAND MC EU311, MC EU511 EFD und MC EU521 sind unsere modernsten Flash-Lösungen auf Grundlage der aktuellen 3D-NAND-Technologie. Der iNAND MC EU311 bietet eine herausragende Leistung bei Lese- und Schreibvorgängen mit SmartSLC und UFS 2.1. Der iNAND MC EU511 ist die richtige Wahl für 5G-Geräte dank blitzschneller sequenzieller Schreibvorgänge und der Leistung von iNAND SmartSLC Gen 6. Der iNAND MC EU521 basiert auf der neuesten Technologie mit UFS 3.1 Gear 4/2 Lane (Universal Flash Storage) EFD für hohe Mobilität. Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Highlights
- UFS 3.1 Gear 4, 2 Lanes
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- Der iNAND MC EU521 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der überzeugenden Leistung von SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte
- Kapazitäten von 128 GB bis 256 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor von 11,5 x 13 x 1,0 mm
Anwendungen und Workloads
- 5G- und High-End-Smartphones
- Datenintensive Smartphones
- Tablets
- Chromebooks
- Augmented Reality
- Virtual Reality
- Künstliche Intelligenz
- 4K-Video
- Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
- UFS 3.1 Gear 4, 2 Lanes
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- Der iNAND MC EU521 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der überzeugenden Leistung von SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte
- Kapazitäten von 128 GB bis 256 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor von 11,5 x 13 x 1,0 mm
Anwendungen und Workloads
- 5G- und High-End-Smartphones
- Datenintensive Smartphones
- Tablets
- Chromebooks
- Augmented Reality
- Virtual Reality
- Künstliche Intelligenz
- 4K-Video
- Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
- UFS 3.1 Gear 4, 2 Lanes
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- Der iNAND MC EU521 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der überzeugenden Leistung von SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte
- Kapazitäten von 128 GB bis 256 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor von 11,5 x 13 x 1,0 mm
Anwendungen und Workloads
- 5G- und High-End-Smartphones
- Datenintensive Smartphones
- Tablets
- Chromebooks
- Augmented Reality
- Virtual Reality
- Künstliche Intelligenz
- 4K-Video
- Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
- UFS 3.1 Gear 4, 2 Lanes
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- Der iNAND MC EU521 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der überzeugenden Leistung von SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte
- Kapazitäten von 128 GB bis 256 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor von 11,5 x 13 x 1,0 mm
Anwendungen und Workloads
- 5G- und High-End-Smartphones
- Datenintensive Smartphones
- Tablets
- Chromebooks
- Augmented Reality
- Virtual Reality
- Künstliche Intelligenz
- 4K-Video
- Mehrere hochauflösende Kameras
128GB, 256GB, 512GB1
UFS 3.1
-25°C to +85°C
11.5x13x1.0mm (all capacities)
128 GB, 256 GB1
UFS 3.1 HS-G4
-25 °C bis +85 °C
11,5 x 13 x 1,0 mm (alle Kapazitäten)
64 GB, 128 GB, 256 GB1
UFS 3.0 HS-G4
-25 °C bis +85 °C
11,5 x 13 x 1,0 mm (alle Kapazitäten)
32 GB, 64 GB, 128 GB, 256 GB1
UFS 2.1 HS-G3
-25 °C bis +85 °C
11,5 x 13 x 1,0 mm (alle Kapazitäten)
{{getTagsInfo(key)}}
Weitere Dokumente finden Sie in unserer Ressourcenbibliothek:
Alle Ressourcen anzeigen{{getTagsInfo(key)}}
Weitere Dokumente finden Sie in unserer Ressourcenbibliothek:
Alle Ressourcen anzeigen{{getTagsInfo(key)}}
Weitere Dokumente finden Sie in unserer Ressourcenbibliothek:
Alle Ressourcen anzeigen{{getTagsInfo(key)}}
Weitere Dokumente finden Sie in unserer Ressourcenbibliothek:
Alle Ressourcen anzeigen- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = 1 Milliarde Bytes und 1 TB = 1 Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = 1 Milliarde Bytes und 1 TB = 1 Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = 1 Milliarde Bytes und 1 TB = 1 Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = 1 Milliarde Bytes und 1 TB = 1 Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.