嵌入式闪存
消费类 iNAND UFS 系列嵌入式闪存盘
产品 Western Digital
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消费类 iNAND UFS 系列嵌入式闪存盘
产品 Western Digital
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消费类 iNAND UFS 系列嵌入式闪存盘
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消费类 iNAND UFS 系列嵌入式闪存盘
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强大、可靠的快速边缘存储,适用于移动和计算设备,为 5G 时代做好准备
5G 网络将提供快速度、低延迟、低功耗和高网络容量,这不仅将引领智能手机的转型,还将引领数十亿互联的物联网 (IoT) 设备转型。
iNAND MC EU311、MC EU511 和 MC EU521 嵌入式闪存盘是我们基于最新 3D NAND 技术而构建的先进闪存解决方案。借助 SmartSLC 和 UFS 2.1,iNAND MC EU311 可以提供出色的读写性能。iNAND MC EU511 凭借其 Turbo 顺序写入速度和 iNAND SmartSLC Gen 6 性能,为 5G 设备做好准备。iNAND MC EU521 利用 UFS 3.1 Gear 4/2 Lane(通用闪存存储)EFD 满足移动需求,助力实现技术和产品的领先优势。这些产品旨在为大多数数据密集型旗舰移动设备和平板电脑提供快速、流畅的用户体验。
强大、可靠的快速边缘存储,适用于移动和计算设备,为 5G 时代做好准备
5G 网络将提供快速度、低延迟、低功耗和高网络容量,这不仅将引领智能手机的转型,还将引领数十亿互联的物联网 (IoT) 设备转型。
iNAND MC EU311、MC EU511 和 MC EU521 嵌入式闪存盘是我们基于最新 3D NAND 技术而构建的先进闪存解决方案。借助 SmartSLC 和 UFS 2.1,iNAND MC EU311 可以提供出色的读写性能。iNAND MC EU511 凭借其 Turbo 顺序写入速度和 iNAND SmartSLC Gen 6 性能,为 5G 设备做好准备。iNAND MC EU521 利用 UFS 3.1 Gear 4/2 Lane(通用闪存存储)EFD 满足移动需求,助力实现技术和产品的领先优势。这些产品旨在为大多数数据密集型旗舰移动设备和平板电脑提供快速、流畅的用户体验。
强大、可靠的快速边缘存储,适用于移动和计算设备,为 5G 时代做好准备
5G 网络将提供快速度、低延迟、低功耗和高网络容量,这不仅将引领智能手机的转型,还将引领数十亿互联的物联网 (IoT) 设备转型。
iNAND MC EU311、MC EU511 和 MC EU521 嵌入式闪存盘是我们基于最新 3D NAND 技术而构建的先进闪存解决方案。借助 SmartSLC 和 UFS 2.1,iNAND MC EU311 可以提供出色的读写性能。iNAND MC EU511 凭借其 Turbo 顺序写入速度和 iNAND SmartSLC Gen 6 性能,为 5G 设备做好准备。iNAND MC EU521 利用 UFS 3.1 Gear 4/2 Lane(通用闪存存储)EFD 满足移动需求,助力实现技术和产品的领先优势。这些产品旨在为大多数数据密集型旗舰移动设备和平板电脑提供快速、流畅的用户体验。
强大、可靠的快速边缘存储,适用于移动和计算设备,为 5G 时代做好准备
5G 网络将提供快速度、低延迟、低功耗和高网络容量,这不仅将引领智能手机的转型,还将引领数十亿互联的物联网 (IoT) 设备转型。
iNAND MC EU311、MC EU511 和 MC EU521 嵌入式闪存盘是我们基于最新 3D NAND 技术而构建的先进闪存解决方案。借助 SmartSLC 和 UFS 2.1,iNAND MC EU311 可以提供出色的读写性能。iNAND MC EU511 凭借其 Turbo 顺序写入速度和 iNAND SmartSLC Gen 6 性能,为 5G 设备做好准备。iNAND MC EU521 利用 UFS 3.1 Gear 4/2 Lane(通用闪存存储)EFD 满足移动需求,助力实现技术和产品的领先优势。这些产品旨在为大多数数据密集型旗舰移动设备和平板电脑提供快速、流畅的用户体验。
产品亮点
- UFS 3.1 Gear 4,2-Lane
- 专为旗舰机、5G 智能手机和笔记本电脑而设计
- iNAND MC EU521 拥有 Turbo 顺序写入速度、增强的性能以及 SmartSLC Gen 6,为 5G 设备的到来做好准备
- 外形小巧,从 128GB 至 256GB 的容量规格均采用统一的 11.5 × 13 × 1.0 毫米小巧外形规格
应用和工作负载
- 5G 和旗舰智能手机
- 数据密集型智能手机
- 提供智能
- Chromebook
- 增强现实
- 虚拟现实
- 人工智能
- 4K 视频
- 多台高分辨率摄像机
产品亮点
- UFS 3.1 Gear 4,2-Lane
- 专为旗舰机、5G 智能手机和笔记本电脑而设计
- iNAND MC EU521 拥有 Turbo 顺序写入速度、增强的性能以及 SmartSLC Gen 6,为 5G 设备的到来做好准备
- 外形小巧,从 128GB 至 256GB 的容量规格均采用统一的 11.5 × 13 × 1.0 毫米小巧外形规格
应用和工作负载
- 5G 和旗舰智能手机
- 数据密集型智能手机
- 提供智能
- Chromebook
- 增强现实
- 虚拟现实
- 人工智能
- 4K 视频
- 多台高分辨率摄像机
产品亮点
- UFS 3.1 Gear 4,2-Lane
- 专为旗舰机、5G 智能手机和笔记本电脑而设计
- iNAND MC EU521 拥有 Turbo 顺序写入速度、增强的性能以及 SmartSLC Gen 6,为 5G 设备的到来做好准备
- 外形小巧,从 128GB 至 256GB 的容量规格均采用统一的 11.5 × 13 × 1.0 毫米小巧外形规格
应用和工作负载
- 5G 和旗舰智能手机
- 数据密集型智能手机
- 提供智能
- Chromebook
- 增强现实
- 虚拟现实
- 人工智能
- 4K 视频
- 多台高分辨率摄像机
产品亮点
- UFS 3.1 Gear 4,2-Lane
- 专为旗舰机、5G 智能手机和笔记本电脑而设计
- iNAND MC EU521 拥有 Turbo 顺序写入速度、增强的性能以及 SmartSLC Gen 6,为 5G 设备的到来做好准备
- 外形小巧,从 128GB 至 256GB 的容量规格均采用统一的 11.5 × 13 × 1.0 毫米小巧外形规格
应用和工作负载
- 5G 和旗舰智能手机
- 数据密集型智能手机
- 提供智能
- Chromebook
- 增强现实
- 虚拟现实
- 人工智能
- 4K 视频
- 多台高分辨率摄像机
128GB, 256GB, 512GB
UFS 3.1
-25°C to +85°C
11.5x13x1.0mm
128GB、256GB1
UFS 3.1 HS-G4
-25°C 至 85°C
11.5x13x1.0 毫米(所有容量规格)
64GB、128GB、256GB1
UFS 3.0 HS-G4
-25°C 至 85°C
11.5x13x1.0 毫米(所有容量规格)
32GB、64GB、128GB、256GB1
UFS 2.1 HS-G3
-25°C 至 85°C
11.5x13x1.0 毫米(所有容量规格)
- 用于表示存储容量时,1GB = 10 亿字节,1TB = 1 万亿字节。实际用户可用容量可能较少,具体取决于操作环境。
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- 用于表示存储容量时,1GB = 10 亿字节,1TB = 1 万亿字节。实际用户可用容量可能较少,具体取决于操作环境。
- 用于表示存储容量时,1GB = 10 亿字节,1TB = 1 万亿字节。实际用户可用容量可能较少,具体取决于操作环境。